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館盛 勝一
JAERI 1331, 177 Pages, 1994/03
再処理ピュレックス工程における、U,Pu,Np,Tc,硝酸等主要成分のふるまいを解析するための過渡計算コードEXTRA・Mを開発した。これは、EXTRA・M1,M2,M3という3つのコードより成るコードシステムで、用途により選択して用いる。対象はミキサーセトラのような平衡型抽出器により構成される工程である。本コードでは、18種の成分を取扱い、40個の化学反応速度式を組込んでいる。各成分の液々分配比は、実験データから最適化手法で求めるパラメータを含む計算式により得る。計算途中時間での瞬時の条件変動やリフラックス方式の過渡計算もできる。本報では、EXTRA・Mコードシステムのモデル概要、数値モデルとその解法、計算例、実験によるコードの検証例を示した。また付録として、プログラムの構造と処理フロー、モジュール説明、データ入力方法、プログラムのソース(EXTRA・M1のみ)等を載せた。
線照射3C-SiC MOS構造の固定電荷蓄積量に及ぼす熱アニール効果根本 規生*; 吉川 正人; 梨山 勇; 吉田 貞史*; 大西 一功*
平成5年度 (第37回)日本大学理工学部学術講演会講演論文集; 材料・物性, p.149 - 150, 1993/00
立方晶シリコンカーバイド(3C-SiC)単結晶を用いてMOS構造を作製し、その線照射によって蓄積する固定電荷(
N
)の熱アニール挙動を室温から400
Cの温度範囲で等時アニール法で調べた。その結果、400CでもN
が完全にはアニールされないことがわかった。化学反応速度式を用いてNのアニール挙動を解析すると、1次反応により消滅する活性化エネルギー0.32eVの成分と400Cでは消滅しない成分に分けられた。等時アニールされるNの活性化エネルギーは絶縁膜中をホッピング伝導するイオン、あるいは膜中の水素や水の拡散のそれに近い値であり、アニールのメカニズムとして水素関連の化合物の拡散が示唆された。残りのアニールされないNは3C-Sic/SiO
界面の残留カーボンに関連した欠陥かもしれない。
富樫 昭夫; 根本 慎一; 坂井 敏幸*; 野村 和則; 木村 通*; 小沢 正基
PNC TN8410 92-267, 41 Pages, 1992/07
使用済燃料再処理における分配工程ではTBPに抽出されているPu(IV)とU(VI)のうち、Puのみを選択的に逆抽出し、U,TBP相中のUから分離することを基本としている。Puを選択的に逆抽出分離するため、一般には還元剤を用いてPU(IV)をPu(III)に還元し、抽出性の低いPuとしつつ分離する方法が採られている。本研究では還元剤として硝酸ヒドロキシルアミン(HAN)を用いHAN-HNO3-TBP系におけるTBP相中のPuに着目し「みかけの逆抽出速度」を求めた。以下に結果を示す。(1) HANが共存しないHNO3-TBP系でのPu(IV)逆抽出速度は水相中のHNO3濃度に依存し、濃度の低下に伴い上昇する。(2) この速度はHANの存在により、更に上昇する。(3) Pu(IV)の逆抽出速度はHAN濃度に逆比例する。これはHAN中に化合しているNO3-による影響と判断される。つまりNO3-がPuを抽出するため塩析剤として作用するためと思われる。(4) したがってHANを還元剤として用いる場合、NO3-イオン濃度を十分に考慮し最適条件を選定すべきである。
辻野 毅
化学と工業, 26(1), P. 78, 1973/01
流動層におけるプルトニウムのフッ素化速度について、プロセス設計に有用なフッ素反応率とプルトニウム量の関係などの速度データ、未反応核モデルの適用例およびプルトニウムのフッ素化反応の特質などを紹介した。このようにプルトニウムの反応速度式の一般化が進められているが、きわめてデータが少なく、反応初期および末期における低反応速度式の一般化は今後の問題である。
